Numer części producenta : | RS3M M6G | Status RoHs : | |
---|---|---|---|
Producent / marka : | TSC (Taiwan Semiconductor) | Stan magazynowy : | Na stanie |
Opis : | DIODE GEN PURP 3A DO214AB | Statek z : | Hongkong |
Arkusze danych : | RS3M M6G(1).pdfRS3M M6G(2).pdfRS3M M6G(3).pdf | Sposób wysyłki : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Nr części | RS3M M6G |
---|---|
Producent | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Opis | DIODE GEN PURP 3A DO214AB |
Stan ołowiu / status RoHS | |
dostępna ilość | Na stanie |
Arkusze danych | RS3M M6G(1).pdfRS3M M6G(2).pdfRS3M M6G(3).pdf |
Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli | 1.3 V @ 3 A |
Napięcie - DC Rewers (VR) (maks) | 1000 V |
Technologia | Standard |
Dostawca urządzeń Pakiet | DO-214AB (SMC) |
Prędkość | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Seria | - |
Odwrócona Recovery Time (TRR) | 500 ns |
Package / Case | DO-214AB, SMC |
Pakiet | Tape & Reel (TR) |
Temperatura pracy - złącze | -55°C ~ 150°C |
Rodzaj mocowania | Surface Mount |
Obecny - Reverse Przeciek @ Vr | 10 µA @ 1000 V |
Obecny - Średnia Spirytus (Io) | 3A |
Pojemność @ VR F | - |
Podstawowy numer produktu | RS3M |
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 3A DO214AB
MOSFET N-CH 60V 4.5A 8SOP
DIODE GEN PURP 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
PCH -60V -11A POWER MOSFET - RS3
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
NCH 60V 14A POWER MOSFET: RS3L14